Si/SiO2中的电荷影响器件的性能和可靠性。会造成MOS器件抑制电压不稳定现象。

A. 可动离子电荷
B. 氧化层固定电荷
C. 氧化层陷阱电荷
D. 界面陷阱电荷

掺氯氧化可使氧化物缺陷密度显著减少，但温度低于1000℃时，氯的钝化效果差。 一般的栅氧化工艺采取两步氧化法：

A. 800℃~900℃，N2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，O2+HCl退火。
B. 800℃~900℃，O2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，N2+HCl退火。
C. 800℃~900℃，O2H+HCl氧化；升温到1000~1100℃，N2+HCl退火。
D. 800℃~900℃，N2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，O2H+HCl退火。

通常氧化是指热氧化单项工艺，是在高温、氧或条件下，衬底硅被氧化生长出所需要厚度二氧化硅薄膜的工艺。热氧化需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。

二氧化硅中存在两种氧原子，其中指只连接一个硅氧4面体的氧，其原子越多，二氧化硅结构越疏松，强度越弱；指连接两个硅氧4面体的氧，其原子越多，二氧化硅结构越紧密，强度越大。

SiO2的热膨胀系数小，是Si的1/5，冷却时易产生微细的裂纹，丧失和作用。

掩蔽性质含义是相同情况下，B、P、As等常见杂质在SiO2中的扩散系数其在Si中的扩散系数，SiO2层对这些杂质起到掩蔽作用。

当需要极薄氧化膜时，例如MOSFET的栅氧化制备时，可采用技术。

通过测量SiO2膜的折射率和观察SiO2膜腐蚀速率可以检验SiO2膜的

采用、氧化工艺制备的二氧化硅膜具有更高密度、更高折射率和更低的HF腐蚀速率。

二氧化硅膜中的斑点，裂纹，白雾，刮花和针孔等属于表面缺陷。二氧化硅膜还具有结构上的缺陷，即缺陷。