可以采用在电容器上不断增加电压，测量通过氧化层的电流，获得击穿电压的统计分布，来反映。

指给氧化层加刚好低于击穿电场的电应力，测量电流随时间的变化关系。当发生不可恢复的介质击穿时，电流曲线末端附近电流急剧上升。

一般的氧化工艺是在常压下进行，把氧化剂的压力在几个到几百个大气压之间的热氧化称高压热氧化。高压热氧化比较适合于生长。

SiO2的击穿电场说法错误的是

A. 最大击穿电场属于非本征击穿
B. 最大击穿电场属于本征击穿
C. 非本征击穿由缺陷、杂质引起
D. 本征击穿由SiO2厚度、导热性、界面电荷等决定
E. SiO2层越薄、氧化温度越低，击穿电场越高。

SiO2膜不能掩蔽Ga、Na、Cu、Au等杂质的扩散原因是

A. Ga、Na、Cu在SiO2中扩散速度较快
B. Au在SiO2中扩散速度较快
C. Au在Si中扩撒系数很大，可以在Si表面或Si/ SiO2界面扩散到Si中。
D. Ga、Na、Cu在Si中扩撒系数很大，可以在Si表面或Si/ SiO2界面扩散到Si中。

下面对二氧化硅膜中的杂质说法错误的是

A. 二氧化硅膜中的杂质可分为网络形成杂质和网络变形杂质。
B. 网络变形杂质是指取代硅氧四面体中硅的位置的杂质，原子半径与硅接近或略小，主要有3 、5族的P、B等杂质。
C. 网络形成杂质是指占据网络间隙和孔洞部位的杂质，碱金属就属于此类杂质，钠是氧化层中最常见杂质。
D. 添加硼促使网络强度减弱，同时降低氧化层的软化温度；添加磷促使网络强度增大。

氧化是指在900-1200℃的高温下，利用硅与氧化剂之间的氧化反应，在硅衬底上形成SiO2薄膜，对其氧化过程描述正确的有：

A. 氧化剂从主气流穿过滞留层扩散到SiO2表面
B. 氧化主要通过扩散和化学反应完成。
C. 氧化剂和硅一起扩撒到达SiO2表面发生化学反应
D. 氧化时硅衬底被消耗，生长1μm厚SiO2 约消耗0.44μm厚Si。

掺氯氧化的氯源常用HCl、三氯乙烯，加入氯的作用有

A. 减少钠离子沾污
B. 提高SiO2/Si 界面质量
C. 提高氧化速率
D. 抑制氧化堆垛层错

由于杂质在Si和SiO2中平衡浓度不同，氧化过程中硅内的杂质会在Si和新生长的SiO2界面处重新分布的现象，称之为分凝效应。其主要与温度有关、晶面、水汽含量有关，常用分凝系数K来衡量分凝效应强弱。下面对分凝系数与杂质浓度叙述正确的有：

A. K＜1，在SiO2/Si界面杂质向Si内扩散，Si表面杂质浓度高，堆积。
B. K＞1，在SiO2/Si界面杂质向Si内扩散，Si表面杂质浓度高，堆积。
C. K＜1，在SiO2/Si界面杂质向SiO2内扩散，Si表面杂质浓度低，耗竭。
D. K＞1，在SiO2/Si界面杂质向SiO2内扩散，Si表面杂质浓度低，耗竭。

氧化层厚度的检测方法有

A. 台阶法
B. 椭圆偏振光法和双光干涉法
C. 腐蚀法和铜镀法
D. 电容法和比色法