A. 常指Na+、K+、H+等荷正电的碱金属离子。 B. 由于石英材料、试剂、人员等沾污引起。 C. 在高温或强电场条件下，可在氧化层内来回移动，使C-V曲线沿电压轴产生位移，降低器件的稳定性。 D. 可首先采用干氧化（空位最少），惰性气体高温退火、选用<100>晶向。
A. 位于氧化层距硅界面~3nm范围内，是荷正电的氧空位。 B. 电荷固定不动，即使表面电势有较大变化仍不会有充放电现象。 C. 主要是氧化停止时，SiO2中存在过剩氧空位引起的。 D. 可采取掺氯、环境洁净、高纯度试剂去除。
A. 由氧化层内杂质或不饱和键俘获电子或空穴引起。 B. 分布于氧化层表面，大部分与工艺有关。 C. 由X光辐射或高能电子轰击产生。 D. 可以采用适当的氧化工艺、惰性气体低温退火或采用对辐照不灵敏的钝化层去除。
A. 钝化可动的钠离子、钾离子。 B. 减少SiO2中缺陷，提高氧化层的抗电击穿能力。 C. 提高了界面态密度和表面固定电荷密度。 D. 减少了氧化导致的堆垛层错，增加氧化层下面硅中少数载流子的寿命。
A. 氧化速率快，反应温度低。在生长速率不变的情况下，每升高一个大气压，温度可以下降30°左右。厚度＜2μm时，高压氧化的速率是常温氧化的10倍。 B. 降低氧化过程的诱生缺陷。高压下氧化反应充分，过剩硅填隙原子浓度提升。 C. 杂质再分布和分凝效应减小。 D. 氧化层密度和表面态密度高于常压氧化。 E. 局部氧化时Si3N4转化成SiO2的速度随压力上升而下降，因此可采用更薄的Si3N4，有利于减小“鸟嘴”效应。
A. 根据集成度的要求栅氧化层要薄，且具有快的生长速率，提升生产效率。 B. 为了保证氧化工艺的均匀性和重复性，栅氧化温度要高。 C. 氧化前的清洗必须彻底。 D. 所用水、试剂、气体必须为超高纯度材料。
A. 界面处杂质的分凝效应 B. 杂质在SiO2的表面逸出 C. 杂质在SiO2、Si中的扩散系数 D. 界面的移动速率
A. 采用快速热处理设备-快速热氧化 B. 降低氧化炉中的气压-低压氧化 C. 氧化气氛为O2和惰性气体(如Ar)的混合物-稀释氧化
A. C-V曲线 B. 电容电压曲线 C-H曲线
A. 低的介电常数和击穿电压 B. 高的氧化层电荷和缺陷密度 C. 好的抗杂质扩散的势垒特性 D. 在热载流子应力和辐射条件下的高稳定性
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