栅氧化工艺是 CMOS IC制造的关键工艺，对其基本工艺要求叙述正确的有
A. 根据集成度的要求栅氧化层要薄，且具有快的生长速率，提升生产效率。
B. 为了保证氧化工艺的均匀性和重复性，栅氧化温度要高。
C. 氧化前的清洗必须彻底。
D. 所用水、试剂、气体必须为超高纯度材料。
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热氧化硅片是掺杂硅片，高温氧化过程中会发生杂质再分布现象，在Si和新生长的SiO2界面两端杂质分布会发生突变，导致界面处的电学性能发生变化。影响杂质再分布因素主要有：
A. 界面处杂质的分凝效应
B. 杂质在SiO2的表面逸出
C. 杂质在SiO2、Si中的扩散系数
D. 界面的移动速率
对于100Å及更薄厚度的栅氧化层，除了掺氯氧化，通常还可以采用
A. 采用快速热处理设备-快速热氧化
B. 降低氧化炉中的气压-低压氧化
C. 氧化气氛为O2和惰性气体(如Ar)的混合物-稀释氧化
根据及其温偏特性，可以判断氧化层厚度、氧化层中的固定电荷密度、可动电荷密度和界面态密度等。
A. C-V曲线
B. 电容电压曲线
C-H曲线
栅氧化层的要求较高，常要求具有
A. 低的介电常数和击穿电压
B. 高的氧化层电荷和缺陷密度
C. 好的抗杂质扩散的势垒特性
D. 在热载流子应力和辐射条件下的高稳定性
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