题目内容

栅氧化层的要求较高，常要求具有

A. 低的介电常数和击穿电压
B. 高的氧化层电荷和缺陷密度
C. 好的抗杂质扩散的势垒特性
D. 在热载流子应力和辐射条件下的高稳定性

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二氧化硅与硅之间完美的界面特性，其在电子元件制造中具有很多用途，请把下面二氧化硅用途示意图与相应文字说明连起来。

热氧化过程中杂质再分布情况比较复杂，常见的杂质在Si/SiO2界面再分布主要有四种情况，请把四种分布情况的示意图与其对应的特征说明连起来：

密度是SiO2致密度的标志。密度大，致密程度高，SiO2密度大于Si的密度，Si变成SiO2后体积会收缩。

A. 对
B. 错

SiO2熔点与其类型有关。其为石英晶体结构时，有固定熔点1732℃；为非晶态结构时SiO2无固定熔点，只有软化点1500℃，且与致密度和参杂有关。

A. 对
B. 错