二氧化硅与硅之间完美的界面特性,其在电子元件制造中具有很多用途,请把下面二氧化硅用途示意图与相应文字说明连起来。
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热氧化过程中杂质再分布情况比较复杂,常见的杂质在Si/SiO2界面再分布主要有四种情况,请把四种分布情况的示意图与其对应的特征说明连起来:
密度是SiO2致密度的标志。密度大,致密程度高,SiO2密度大于Si的密度,Si变成SiO2后体积会收缩。
A. 对
B. 错
SiO2熔点与其类型有关。其为石英晶体结构时,有固定熔点1732℃;为非晶态结构时SiO2无固定熔点,只有软化点1500℃,且与致密度和参杂有关。
A. 对
B. 错
氧化剂分压增大,线性氧化系数和抛物线氧化系数同时增大,氧化速率增加。根据此现象发明了高压水汽氧化技术。
A. 对
B. 错