氯的掺入可改善SiO2层和SiO2/Si界面的性质，具体体现在哪些方面
A. 钝化可动的钠离子、钾离子。
B. 减少SiO2中缺陷，提高氧化层的抗电击穿能力。
C. 提高了界面态密度和表面固定电荷密度。
D. 减少了氧化导致的堆垛层错，增加氧化层下面硅中少数载流子的寿命。
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下面对高压热氧化的描述错误的有
A. 氧化速率快，反应温度低。在生长速率不变的情况下，每升高一个大气压，温度可以下降30°左右。厚度＜2μm时，高压氧化的速率是常温氧化的10倍。
B. 降低氧化过程的诱生缺陷。高压下氧化反应充分，过剩硅填隙原子浓度提升。
C. 杂质再分布和分凝效应减小。
D. 氧化层密度和表面态密度高于常压氧化。
E. 局部氧化时Si3N4转化成SiO2的速度随压力上升而下降，因此可采用更薄的Si3N4，有利于减小“鸟嘴”效应。
栅氧化工艺是 CMOS IC制造的关键工艺，对其基本工艺要求叙述正确的有
A. 根据集成度的要求栅氧化层要薄，且具有快的生长速率，提升生产效率。
B. 为了保证氧化工艺的均匀性和重复性，栅氧化温度要高。
C. 氧化前的清洗必须彻底。
D. 所用水、试剂、气体必须为超高纯度材料。
热氧化硅片是掺杂硅片，高温氧化过程中会发生杂质再分布现象，在Si和新生长的SiO2界面两端杂质分布会发生突变，导致界面处的电学性能发生变化。影响杂质再分布因素主要有：
A. 界面处杂质的分凝效应
B. 杂质在SiO2的表面逸出
C. 杂质在SiO2、Si中的扩散系数
D. 界面的移动速率
对于100Å及更薄厚度的栅氧化层，除了掺氯氧化，通常还可以采用
A. 采用快速热处理设备-快速热氧化
B. 降低氧化炉中的气压-低压氧化
C. 氧化气氛为O2和惰性气体(如Ar)的混合物-稀释氧化
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