下面对氧化层陷阱电荷叙述正确的有
A. 由氧化层内杂质或不饱和键俘获电子或空穴引起。
B. 分布于氧化层表面，大部分与工艺有关。
C. 由X光辐射或高能电子轰击产生。
D. 可以采用适当的氧化工艺、惰性气体低温退火或采用对辐照不灵敏的钝化层去除。
氯的掺入可改善SiO2层和SiO2/Si界面的性质，具体体现在哪些方面
A. 钝化可动的钠离子、钾离子。
B. 减少SiO2中缺陷，提高氧化层的抗电击穿能力。
C. 提高了界面态密度和表面固定电荷密度。
D. 减少了氧化导致的堆垛层错，增加氧化层下面硅中少数载流子的寿命。
下面对高压热氧化的描述错误的有
A. 氧化速率快，反应温度低。在生长速率不变的情况下，每升高一个大气压，温度可以下降30°左右。厚度＜2μm时，高压氧化的速率是常温氧化的10倍。
B. 降低氧化过程的诱生缺陷。高压下氧化反应充分，过剩硅填隙原子浓度提升。
C. 杂质再分布和分凝效应减小。
D. 氧化层密度和表面态密度高于常压氧化。
E. 局部氧化时Si3N4转化成SiO2的速度随压力上升而下降，因此可采用更薄的Si3N4，有利于减小“鸟嘴”效应。
栅氧化工艺是 CMOS IC制造的关键工艺，对其基本工艺要求叙述正确的有
A. 根据集成度的要求栅氧化层要薄，且具有快的生长速率，提升生产效率。
B. 为了保证氧化工艺的均匀性和重复性，栅氧化温度要高。
C. 氧化前的清洗必须彻底。
D. 所用水、试剂、气体必须为超高纯度材料。
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