下面对可动离子电荷叙述正确的有
A. 常指Na+、K+、H+等荷正电的碱金属离子。
B. 由于石英材料、试剂、人员等沾污引起。
C. 在高温或强电场条件下，可在氧化层内来回移动，使C-V曲线沿电压轴产生位移，降低器件的稳定性。
D. 可首先采用干氧化（空位最少），惰性气体高温退火、选用<100>晶向。
下面对氧化层固定电荷叙述正确的有
A. 位于氧化层距硅界面~3nm范围内，是荷正电的氧空位。
B. 电荷固定不动，即使表面电势有较大变化仍不会有充放电现象。
C. 主要是氧化停止时，SiO2中存在过剩氧空位引起的。
D. 可采取掺氯、环境洁净、高纯度试剂去除。
下面对氧化层陷阱电荷叙述正确的有
A. 由氧化层内杂质或不饱和键俘获电子或空穴引起。
B. 分布于氧化层表面，大部分与工艺有关。
C. 由X光辐射或高能电子轰击产生。
D. 可以采用适当的氧化工艺、惰性气体低温退火或采用对辐照不灵敏的钝化层去除。
氯的掺入可改善SiO2层和SiO2/Si界面的性质，具体体现在哪些方面
A. 钝化可动的钠离子、钾离子。
B. 减少SiO2中缺陷，提高氧化层的抗电击穿能力。
C. 提高了界面态密度和表面固定电荷密度。
D. 减少了氧化导致的堆垛层错，增加氧化层下面硅中少数载流子的寿命。
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