可以采用在电容器上不断增加电压，测量通过氧化层的电流，获得击穿电压的统计分布，来反映。
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指给氧化层加刚好低于击穿电场的电应力，测量电流随时间的变化关系。当发生不可恢复的介质击穿时，电流曲线末端附近电流急剧上升。
一般的氧化工艺是在常压下进行，把氧化剂的压力在几个到几百个大气压之间的热氧化称高压热氧化。高压热氧化比较适合于生长。
SiO2的击穿电场说法错误的是
A. 最大击穿电场属于非本征击穿
B. 最大击穿电场属于本征击穿
C. 非本征击穿由缺陷、杂质引起
D. 本征击穿由SiO2厚度、导热性、界面电荷等决定
E. SiO2层越薄、氧化温度越低，击穿电场越高。
SiO2膜不能掩蔽Ga、Na、Cu、Au等杂质的扩散原因是
A. Ga、Na、Cu在SiO2中扩散速度较快
B. Au在SiO2中扩散速度较快
C. Au在Si中扩撒系数很大，可以在Si表面或Si/ SiO2界面扩散到Si中。
D. Ga、Na、Cu在Si中扩撒系数很大，可以在Si表面或Si/ SiO2界面扩散到Si中。
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