一般的氧化工艺是在常压下进行，把氧化剂的压力在几个到几百个大气压之间的热氧化称高压热氧化。高压热氧化比较适合于生长。

A. 最大击穿电场属于非本征击穿
B. 最大击穿电场属于本征击穿
C. 非本征击穿由缺陷、杂质引起
D. 本征击穿由SiO2厚度、导热性、界面电荷等决定
E. SiO2层越薄、氧化温度越低，击穿电场越高。

A. Ga、Na、Cu在SiO2中扩散速度较快
B. Au在SiO2中扩散速度较快
C. Au在Si中扩撒系数很大，可以在Si表面或Si/ SiO2界面扩散到Si中。
D. Ga、Na、Cu在Si中扩撒系数很大，可以在Si表面或Si/ SiO2界面扩散到Si中。

A. 二氧化硅膜中的杂质可分为网络形成杂质和网络变形杂质。
B. 网络变形杂质是指取代硅氧四面体中硅的位置的杂质，原子半径与硅接近或略小，主要有3 、5族的P、B等杂质。
C. 网络形成杂质是指占据网络间隙和孔洞部位的杂质，碱金属就属于此类杂质，钠是氧化层中最常见杂质。
D. 添加硼促使网络强度减弱，同时降低氧化层的软化温度；添加磷促使网络强度增大。

A. 氧化剂从主气流穿过滞留层扩散到SiO2表面
B. 氧化主要通过扩散和化学反应完成。
C. 氧化剂和硅一起扩撒到达SiO2表面发生化学反应
D. 氧化时硅衬底被消耗，生长1μm厚SiO2 约消耗0.44μm厚Si。