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下面对二氧化硅膜中的杂质说法错误的是

A. 二氧化硅膜中的杂质可分为网络形成杂质和网络变形杂质。
B. 网络变形杂质是指取代硅氧四面体中硅的位置的杂质,原子半径与硅接近或略小,主要有3 、5族的P、B等杂质。
C. 网络形成杂质是指占据网络间隙和孔洞部位的杂质,碱金属就属于此类杂质,钠是氧化层中最常见杂质。
D. 添加硼促使网络强度减弱,同时降低氧化层的软化温度;添加磷促使网络强度增大。

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氧化是指在900-1200℃的高温下,利用硅与氧化剂之间的氧化反应,在硅衬底上形成SiO2薄膜,对其氧化过程描述正确的有:

A. 氧化剂从主气流穿过滞留层扩散到SiO2表面
B. 氧化主要通过扩散和化学反应完成。
C. 氧化剂和硅一起扩撒到达SiO2表面发生化学反应
D. 氧化时硅衬底被消耗,生长1μm厚SiO2 约消耗0.44μm厚Si。

掺氯氧化的氯源常用HCl、三氯乙烯,加入氯的作用有

A. 减少钠离子沾污
B. 提高SiO2/Si 界面质量
C. 提高氧化速率
D. 抑制氧化堆垛层错

由于杂质在Si和SiO2中平衡浓度不同,氧化过程中硅内的杂质会在Si和新生长的SiO2界面处重新分布的现象,称之为分凝效应。其主要与温度有关、晶面、水汽含量有关,常用分凝系数K来衡量分凝效应强弱。下面对分凝系数与杂质浓度叙述正确的有:

A. K<1,在SiO2/Si界面杂质向Si内扩散,Si表面杂质浓度高,堆积。
B. K>1,在SiO2/Si界面杂质向Si内扩散,Si表面杂质浓度高,堆积。
C. K<1,在SiO2/Si界面杂质向SiO2内扩散,Si表面杂质浓度低,耗竭。
D. K>1,在SiO2/Si界面杂质向SiO2内扩散,Si表面杂质浓度低,耗竭。

氧化层厚度的检测方法有

A. 台阶法
B. 椭圆偏振光法和双光干涉法
C. 腐蚀法和铜镀法
D. 电容法和比色法

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