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由于杂质在Si和SiO2中平衡浓度不同，氧化过程中硅内的杂质会在Si和新生长的SiO2界面处重新分布的现象，称之为分凝效应。其主要与温度有关、晶面、水汽含量有关，常用分凝系数K来衡量分凝效应强弱。下面对分凝系数与杂质浓度叙述正确的有：

A. K＜1，在SiO2/Si界面杂质向Si内扩散，Si表面杂质浓度高，堆积。
B. K＞1，在SiO2/Si界面杂质向Si内扩散，Si表面杂质浓度高，堆积。
C. K＜1，在SiO2/Si界面杂质向SiO2内扩散，Si表面杂质浓度低，耗竭。
D. K＞1，在SiO2/Si界面杂质向SiO2内扩散，Si表面杂质浓度低，耗竭。

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A. 常指Na+、K+、H+等荷正电的碱金属离子。
B. 由于石英材料、试剂、人员等沾污引起。
C. 在高温或强电场条件下，可在氧化层内来回移动，使C-V曲线沿电压轴产生位移，降低器件的稳定性。
D. 可首先采用干氧化（空位最少），惰性气体高温退火、选用<100>晶向。

A. 位于氧化层距硅界面~3nm范围内，是荷正电的氧空位。
B. 电荷固定不动，即使表面电势有较大变化仍不会有充放电现象。
C. 主要是氧化停止时，SiO2中存在过剩氧空位引起的。
D. 可采取掺氯、环境洁净、高纯度试剂去除。

A. 由氧化层内杂质或不饱和键俘获电子或空穴引起。
B. 分布于氧化层表面，大部分与工艺有关。
C. 由X光辐射或高能电子轰击产生。
D. 可以采用适当的氧化工艺、惰性气体低温退火或采用对辐照不灵敏的钝化层去除。