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晶体管一旦击穿，通常也就丧失了正常功能，即其是一种不可恢复的器件。

A. 对
B. 错

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当沟道长度L缩短以后，就意味着同样的晶片面积，可以获得更大的电流容量。

A. 对
B. 错

N型硅的功函数肯定比P型硅的功函数小。

A. 对
B. 错

半导体材料的掺杂浓度越高，迁移率越低

A. 对
B. 错

一个以N-Si为衬底的理想MOS结构，强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是负的

A. 对
B. 错