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当温度升高时,少子的数量( )。

A. 减少
B. 不变
C. 增多
D. 变为零

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硅管和锗管的死区电压分别为( )。

A. 0.5V、0.1V
B. 0.7V、0.1V
C. 0.7V、0.2V
D. 0.5V、0.2V

如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结为反向偏置,则此管的工作状态为( )。

A. 放大
B. 饱和
C. 截止
D. 击穿

当共发射极放大电路输出端开路(未接RL)时,负载电阻愈小,放大倍数( )。

A. 越大
B. 愈小
C. 不变
D. 趋近于0

三极管最大耗散功率PCM是集电极消耗功率的最大限额,与( )参数有关。

A. IC
B. UCE
C. IC 和UCE DUB

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