硅管和锗管的死区电压分别为( )。
A. 0.5V、0.1V
B. 0.7V、0.1V
C. 0.7V、0.2V
D. 0.5V、0.2V
如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结为反向偏置,则此管的工作状态为( )。
A. 放大
B. 饱和
C. 截止
D. 击穿
当共发射极放大电路输出端开路(未接RL)时,负载电阻愈小,放大倍数( )。
A. 越大
B. 愈小
C. 不变
D. 趋近于0
三极管最大耗散功率PCM是集电极消耗功率的最大限额,与( )参数有关。
A. IC
B. UCE
C. IC 和UCE DUB