离子注入后退火再分布的目的是和使杂质达到预期分布并有电活性。
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当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为 。
经过适当温度的退火处理，可以使注入杂质原子的全部或大部分从间隙位置进入替位位置而释放出载流子，从而改变半导体的电特性。这个过程称为杂质原子的。
注入离子浓度分布的主要特点有。
A. 最大浓度位置在样品内表面。
B. 平均投形射程的两侧，注入离子的浓度对称地下降，且下降速度越来越快。
C. 杂质的横向扩展比扩散工艺要小得多。
离子注入时，避免沟道效应的措施有。
A. 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度
B. 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化
C. 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层
D. 降低靶的温度。
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