题目内容

对静电敏感、容易被静电击穿的器件是()。

A. NEMOS
B. PDMOS
C. NJFET
D. PJFET
E. NDMOS
F. PEMOS

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评估调整主要包括()

A. 评估内容
B. 评估时间
C. 调整原则
D. 备选方案

自我赋能的内容包括

A. 自我驱动
B. 自我激励

改变“自我心智"的手段有哪些

A. 读书
B. 思考

“T”型结构,其特点是知识面的宽度与某一专业的深度相结合,博专相济。()

A. 对
B. 错

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