A. 齐纳击穿 B. 雪崩击穿 C. 稳压击穿 D. 截止击穿
A. 非饱和区（可变电阻区） B. 饱和区（恒流区） C. 夹断区（截止区） D. 击穿区
A. 三极管的截止区和场效应管的夹断区是可类比的。 B. 三极管的饱和区和场效应管的饱和区是可类比的。 C. 三极管的放大区和场效应管的饱和区是可类比的。 D. 三极管的饱和区和场效应管的非饱和区是可类比的。
A. NEMOS B. PDMOS C. NJFET D. PJFET E. NDMOS F. PEMOS
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