题目内容

下列说法中正确的是()

A. 三极管的截止区和场效应管的夹断区是可类比的。
B. 三极管的饱和区和场效应管的饱和区是可类比的。
C. 三极管的放大区和场效应管的饱和区是可类比的。
D. 三极管的饱和区和场效应管的非饱和区是可类比的。

查看答案
更多问题

对静电敏感、容易被静电击穿的器件是()。

A. NEMOS
B. PDMOS
C. NJFET
D. PJFET
E. NDMOS
F. PEMOS

评估调整主要包括()

A. 评估内容
B. 评估时间
C. 调整原则
D. 备选方案

自我赋能的内容包括

A. 自我驱动
B. 自我激励

改变“自我心智"的手段有哪些

A. 读书
B. 思考

答案查题题库