下列说法中正确的是（）
A. 三极管的截止区和场效应管的夹断区是可类比的。
B. 三极管的饱和区和场效应管的饱和区是可类比的。
C. 三极管的放大区和场效应管的饱和区是可类比的。
D. 三极管的饱和区和场效应管的非饱和区是可类比的。
对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。
A. NEMOS
B. PDMOS
C. NJFET
D. PJFET
E. NDMOS
F. PEMOS
评估调整主要包括（）
A. 评估内容
B. 评估时间
C. 调整原则
D. 备选方案
自我赋能的内容包括
A. 自我驱动
B. 自我激励
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