产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有()
A. 额定整流电流
B. 额定负荷电流
C. 额定反峰电压
D. 额定工作电压
某高压试验场进行高压试验,在均匀电场中当气体的压力过于稀薄,密度大小,以下的分析正确的为()
A. 电子不容易与气体分子碰撞,自由行程增加,动能积聚增多,容易使分子电离,击穿电压会降低
B. 电子极易与气体分子碰撞,平均每两程增加,动能积聚增,致使电子积聚的动能不足,间隙不易击穿,击穿电压会升高。
C. 碰撞次数太少,击穿电压会升高
D. 电子不容易与气体分子碰撞,但自由行程增加, 动能积聚增多,击穿电压不变
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