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结型场效应管从结构上来分，可以分为N沟道和P沟道两种类型。

A. 对
B. 错

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结型场效应管的导电沟道宽窄，是由栅源电压和漏源电压共同控制的。

A. 对
B. 错

N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关。

A. 对
B. 错

若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压大于零，则其输入电阻会明显变小。

A. 对
B. 错

增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流必为零。

A. 对
B. 错