工艺是将具有电活性的杂质,在一定温度下 ，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度及掺杂类型。
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掩蔽扩散通常指在硅表面的特定区域进行扩散。在扩散工艺前，需要在硅片表面生长一层二氧化硅层，并用光刻等方法去除需要掺杂区域的二氧化硅以形成扩散掩蔽窗口，杂质通过窗口以垂直硅表面进行扩散，并伴随者平行硅表面的
填隙式扩散指杂质进入晶体后，占据晶格原子的原子空位，在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进。空位可以自身存在，也可以由杂质原子进入产生。
A. 对
B. 错
替位式扩散指间隙杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动。速度大于填隙式扩散。
A. 对
B. 错
对于不同的杂质，其扩散方式不同，下面对元素扩散叙述错误的有
A. B、P、As等ⅢA和ⅤA族元素具有电活性，在硅中有较高的固溶度，多以填隙式方式进行扩散，扩撒速度慢，属于慢扩散杂质。
B. Na、K、Li等ⅠA和ⅧA族元素通常无电活性，多以替位式方式进行扩散，扩撒速度快。
C. Au、Cu、Ni等大多数过渡元素，常以填隙-替位式进行扩散，电活性杂质位于替位，无电活性杂质位于间隙位置。
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