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对于以P-Si为衬底的理想MOS结构,耗尽时半导体表面能带向()弯曲

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以N-Si为衬底的理想MOS结构积累状态下积累的电荷是()

对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有()

P-Sub的理想MOS结构在耗尽时,半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子,此时半导体表面可以导电

A. 对
B. 错

已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

A. 对
B. 错