题目内容

一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中

A. 其阈值电压应该是负的
B. 积累状态时所加的栅电压应该是负的
C. 其费米势应该是正的
D. 强反时,其空间电荷区中的电荷应该是负的

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以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0

对于以P-Si为衬底的理想MOS结构,当VG>VT时,半导体表面为()状态

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B. 错

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A. 对
B. 错