在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。下列对两种去胶工艺叙述正确的有。
A. 干法去胶主要有等离子去胶、紫外光分解去胶等,其中等离子去胶使用较为普遍
B. 湿法去胶的优点是去胶操作简单、效率高、可靠性高、易自动化、表面无划痕、成本低
C. 湿法去胶分为有机溶液(丙酮)去胶和无机溶液(硫酸)去胶。
D. 干法去胶工艺简单、去胶效果较干净
理想刻蚀工艺具有特点
A. 各向同性刻蚀,即具有垂直刻蚀,又具有横向刻蚀。
B. 良好的刻蚀选择性,对掩膜刻蚀速度小,对待刻蚀薄膜刻蚀速度大。
C. 加工批量大,控制容易,成本低,对环境污染小,适用于工业生产。
氢氟酸可以去除磷硅玻璃与多余试剂,利用二氧化硅和硅的不同判断清洗效果。
湿法刻蚀时采用和可以避免湿法刻蚀时气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触所造成的不完全及不均匀的蚀刻。