题目内容

为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，所采用____________技术制备。

A. 电阻束蒸发
B. LPCVD
C. 磁控溅射
D. 反应溅射

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在Si表面上生长Bi和Ag膜属于。

A. 核生长型
B. 层生长型
C. 层核生长型
D. 岛生长型

用几十eV的高能粒子轰击靶材，将其原子打出来的技术称为。

A. 真空蒸发法
B. 溅射镀膜法
C. 离子镀
D. PECVD

常用来制备耐磨膜材的物理气相沉积技术是：____________。

A. 蒸镀
B. 分子束外延
C. 溅射镀
D. 离子镀

物理气相沉积主要包括三大类技术: 、和。