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导带一定是空带

A. 对
B. 错

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掺杂越多，本征载流子浓度越高

A. 对
B. 错

平衡PN结形成过程中，电子在自建电场作用漂移向N区

A. 对
B. 错

以N-Si为衬底的理想MOS结构中，积累状态时所加的栅电压应该是负的

A. 对
B. 错

低浓度的基区会降低晶体管的电流放大性能

A. 对
B. 错