超星 - 1.1.1 一试身手 - 查题吧

单选题

下列关于载流子的叙述错误的是( )

A. 金属中的载流子是自由电子
B. 硅半导体中的载流子是自由电子和空穴
C. 一切带电的粒子都称为载流子
D. 本征半导体中自由电子和空穴数量相等

多选题

下列关于半导体导电特性的说法正确的是( )

A. 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间
B. 温度升高时半导体的导电能力明显增强
C. 光照增强时半导体的导电能力明显增强
D. 掺入少量有用杂质后半导体的导电能力明显增强

判断题

本征半导体是纯净的不含杂质的单晶体

A. 对
B. 错

判断题

常用的半导体材料硅和锗均为四价元素( )

A. 对
B. 错

判断题

硅晶体的立体结构为典型正四面体，其中一个原子在四面体的中心，周围四个原子处在正四面体的四个顶点上。

A. 对
B. 错

判断题

硅晶体的正四面体结构可以等效的放到一个正方体中，其中一个原子在正方体的中心，周围四个原子处在正方体的四个对角顶点上。

A. 对
B. 错

判断题

硅晶体的正方体结构在任何一个侧面上的投影，其中一个原子在侧面的中心，周围四个原子分别处在侧面的四个角上。

A. 对
B. 错

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