霍尔元件产生不等位电势的原因有：（）

A. 霍尔引出电极安装不对称
B. 激励电极接触不良
C. 半导体材料不均匀
D. 温度升高

霍尔元件的常用材料有（）

A. P型锗
B. 锑化铟
C. 砷化铟
D. 砷化镓

已知霍尔元件厚度为1mm，沿长度方向通以电流I=1mA，在垂直方向加均匀磁场B=0.5T，灵敏度SH=22V(AT)，试求霍尔电势为（ ）mV。

霍尔元件的零位误差主要包括（ ）和寄生直流电势。

霍尔传感器的灵敏度与霍尔系数成正比而与（ ）成反比

制作霍尔元件的材料可以是金属也可以是半导体。（）

A. 对
B. 错

对霍尔元件进行温度补偿时，通常采用外接温度补偿电阻的方法，这个补偿电阻不能用负温度系数的电阻。（ ）

A. 对
B. 错

霍尔式位移传感器一般用于测量1~2mm的小位移。（ ）

A. 对
B. 错

制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的比较多的是锗、砷化铟等，其原因是这些（）。

A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大
B. 半导体中电子迁移率比空穴高
C. 半导体材料的电子迁移率比较大
D. N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件

磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（ ）。

A. 位移
B. 速度
C. 加速度
D. 力