超星 - 模拟电子技术期末练习 - 查题吧

单选题

场效应管是通过改变（）来控制漏极电流的。

A. 栅极电流
B. 栅源电压
C. 漏源电压
D. 源极电流

单选题

在某放大电路中，测得晶体管处于放大状态时三个电极的电位分别是0V，-10V和-9.3V，则该管是（）。

A. NPN型锗管
B. NPN型硅管
C. PNP型硅管
D. PNP型锗管

单选题

当温度为 20℃时，测得电路中二极管两端的电压为 VD=0.7V，若其他参数不变，温度上升到 40℃时，则 VD的大小将（）。

A. 等于0.7V
B. 大于0.7V
C. 小于0.7V
D. 不确定

单选题

PN结外加正向电压时，空间电荷区（）。

A. 变宽
B. 变窄
C. 不变
D. 先变宽后变窄

单选题

正弦波振荡电路的振幅起振条件是（）。

A. ｜AuFu｜＜1
B. ｜AuFu｜＝0
C. ｜AuFu｜＝1
D. ｜AuFu｜>1

单选题

下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

A. N沟道JFET
B. 增强型PMOS管
C. 耗尽型NMOS管
D. 耗尽型PMOS管

单选题

杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度
B. 参杂工艺
C. 参杂浓度
D. 晶格缺陷

单选题

互补对称功放电路的放大作用是（）。

A. 只对电压有放大作用
B. 只对电流有放大作用
C. 对电压、电流均有放大作用
D. 对电压、电流均无放大作用

单选题

理想运放，不论其工作在线性区还是非线性区，它的（）。

A. I+≠I－
B. U+＝U－
C. U+＝U－＝0
D. I+＝I－＝0

单选题

用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（）。

A. （B、C、E）
B. （C、B、E）
C. （E、C、B）
D. （C、E 、B）

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