正弦波振荡电路的振幅起振条件是( )。
A. |AuFu|<1
B. |AuFu|=0
C. |AuFu|=1
D. |AuFu|>1
下列场效应管中,无原始导电沟道的为( )。
A. N沟道JFET
B. 增强型PMOS管
C. 耗尽型NMOS管
D. 耗尽型PMOS管
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。
A. 温度
B. 参杂工艺
C. 参杂浓度
D. 晶格缺陷
互补对称功放电路的放大作用是( )。
A. 只对电压有放大作用
B. 只对电流有放大作用
C. 对电压、电流均有放大作用
D. 对电压、电流均无放大作用