动态半导体存储器的刷新一般有①、②和③三种方式

动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上，由于电路中存在，因此需要定期的不断地以为单位进行 ，

双端口存储器和多体交叉存储器属于①存储器结构。前者采用②技术，后者采用③技术

有一个4体交叉存储器，但使用时经常遇到连续访问同一存储体的情况，会产生结果

计算机的存储器系统是指______

A. RAM
B. ROM
C. 主存储器
D. 寄存器，cache ，主存储器和外存储器

组成2M×8位的内存，可以使用

A. 1M×8位进行并联
B. 1M ×4位进行串联
C. 2M×4位进行并联
D. 2M ×4位进行串联

若SRAM芯片的容量是2M×8位，则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是

A. 18
B. 21
C. 24
D. 29

某计算机字长16位，其存储容量为2MB，若按半字编址，它的寻址范围是______

A. 0~8M-1
B. 0~4M-1
C. 0~2M-1
D. 0~1M-1

下列关于存储器的描述，正确的有1 CPU访存时间由存储器容量决定2 ROM和RAM在存储器中是统一编址的 3 ROM中任一单元可随机访问4 DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写

A. 1和2
B. 2和3
C. 1、2、3
D. 1、2、3、4

多总线结构的计算机系统采用______方法，对提高系统的吞吐率最有效

A. 多口存储器
B. 提高主存速度
C. cache
D. 交叉编址多模块存储器