超星 - 6-MOS场效应管B-客观题.doc.xls - 查题吧

单选题

N沟道和P沟道场效应管的区别在于____

A. 衬底材料前者为硅,后者为锗
B. 衬底材料前者为 N型,后者为 P型
C. 导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴

单选题

关于MOS管的开启电压和夹断电压,下面说法中正确的是( )

A. N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP<0
B. P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP<0
C. N沟道增强型MOS管的开启电压VT<0
D. P沟道增强型MOS管的开启电压VT>0

单选题

已知放大电路中一只N沟道增强型场效应管三个电极①②③的电位分别为4V、8V、12V,且管子工作在恒流区,则下面说法中正确的是( )

A. ①是漏极②是源极③是栅极
B. ①是源极②是漏极③是栅极
C. ①是源极②是栅极③是漏极
D. ①是漏极②是栅极③是源极

单选题

当场效应管的漏极电流iD从3mA变到2mA时,它的低频跨导gm将( )

A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 不确定

单选题

下面哪种器件属于双极型器件( )

A. N沟道增强型MOS管
B. N沟道耗尽型MOS管
C. BJT晶体管
D. 结型场效应管JFET

判断题

若耗尽型N沟道MOS管的vGS大于零,则其输入电阻RGS会明显减小。( )答案:填“正确”或“错误”

A. 对
B. 错

判断题

耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。( )答案:填“正确”或“错误”

A. 对
B. 错

判断题

小功率场效应晶体管在使用中,其源极和漏极可以互换。( )答案:填“正确”或“错误”

A. 对
B. 错

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