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电解时铸件凹陷部分覆盖较( ),薄膜电阻( )、电流( ),溶解( )

A. 薄 小 大 较多
B. 厚 大 小 较少
C. 薄 大 小 较多
D. 厚 小 大 较少

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打磨抛光过程中因没有及时冷却,使支架升温可引起

A. 支架的折断
B. 支架的变形
C. 抛光后的支架粗糙
D. 抛光后的支架高度光亮

铸件抛光后表面还是粗糙,出现这种情况时应

A. 重新铸造支架
B. 按照抛光的原则重新抛光
C. 使用砂针进行调磨
D. 使用树脂填平铸件表面

电解抛光结束后,从槽内取出铸件,用热水清洗干净,再放入70~80℃的10%( )溶液中处理10分钟

A. 双氧水
B. 硫酸钠
C. 氟化钠
D. 氢氧化钠

有关支架打磨的说法中,错误的是

A. 在抛光时用力过大,也可导致支架的断裂
B. 支架握持不稳或抛光方向不正确导致支架飞出可引起支架的折断
C. 支架打磨时某一点打磨过多使该处过薄不会引起支架的折断
D. 打磨过程中因没有及时冷却,使支架升温可引起支架的变形

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