题目内容

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。

A. 掺杂工艺、杂质浓度
B. 晶体缺陷、温度
C. 杂质浓度、温度
D. 掺杂工艺、温度

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当PN结外加正向电压时,扩散电流( )漂移电流,耗尽层( )。当PN结外加反向电压时,扩散电流( )漂移电流,耗尽层( )。

A. 大于、变窄、小于、变宽
B. 小于、变宽、大于、不变
C. 大于、变窄、小于、不变
D. 小于、变窄、等于、变宽

本征半导体在温度升高后,( )。

A. 自由电子数目增多,空穴数目基本不变;
B. 空穴数目增多,自由电子数目基本不变;
C. 自由电子和空穴数目都增多,且增量相同;
D. 自由电子和空穴数目基本不变。

一个稳定电压UZ=3V的稳压管,随温度的升高,稳定电压UZ将( )。

A. 升高
B. 降低
C. 不变

一个稳定电压UZ=6V的稳压管,随温度的升高,稳定电压UZ将( )。

A. 升高很大
B. 降低很多
C. 基本不变