题目内容

多将开关型霍尔IC制作成具有施密特特性是为了（），其回差(迟滞)越大，它的（）能力就越强。（注：*表示填写的内容相同）

A. 增加灵敏度
B. 减小温漂
C. 抗机械振动干扰
D. 增大温漂

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制造霍尔元件的半导体材料中，目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（）。

A. 半导体材料的霍尔常数比金属大
B. 半导体中电子的迁移率比空穴高
C. 半导体材料的电子迁移率比较大
D. N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件

如果让一恒定电流通过一金属薄片，并将薄片置于强磁场中，在金属薄片的另外两侧将产生与磁感应强度呈正比的电动势，这种传感器是（）

A. 霍尔传感器
B. 电感传感器
C. 电阻传感器
D. 压电传感器

霍尔元件采用恒流源激励是为了减小温漂

A. 对
B. 错

霍尔器件在额定控制电流下，B=0时，两个霍尔电极之间的电感差称为不等位电势 U0

A. 对
B. 错