缓变的基区杂质分布,会在基区产生一个(),来抵消扩散电流。造成两个后果,缩短()的时间,改善()。
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基区扩展电阻包括()电阻和()电阻。由于基区扩展电阻的存在,产生横向电位降,在发射结边缘处有更大的电流密度,这种现象称为()效应。为了减少这种效应,可采用()结构。
共发射极电路中,当VCE>0时,对于给定的IB,IC随VCE的增加而(),使得集电结空间电荷区宽度变(),有效基区宽度变(),这种现象源于晶体管的()效应,又称()效应。
共基极截止频率和共发射极截止频率都可以称为()频率。截止频率又称为(),特征频率又称为()。这三个频率,()最大,()次之,()最小。
BJT是一种时间延迟器件,造成频率响应的原因是(),晶体管的时间延迟的四个因素分别是()、()、()和()。注:请写出中文名称。