有一个1K×4位的动态RAM芯片(芯片内是64×16结构)构成, 采用异步刷新方式,如单元刷新时间间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 如果用集中刷新方式,存储的刷新一遍最少用多少读写周期?死时间率是多少?设T单位为0.1us。
若浮点数X的二进制存储格式为(41360000)16,求其32位浮点数的十进制值。
设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,该存储器能存储多少个字节的信息?如果存储器由512k×8位的SRAM 芯片组成,需多少片?需多少位地址作芯片选择?
请比较说明硬布线控制与微程序控制在实现方法上的差异?
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