题目内容

MOS电容C是（）电容和（）电容串联的结果。大部分电压都落在（）电容上。其中，理想MOS器件的（）电容是常数。

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

对于MOSFET，热平衡时，除功函数差之外，还受电荷和陷阱的影响，这些陷阱和电荷包括（）、（）、（）和（）。

MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。

为了提高MOSFET的工作频率或工作速度，一是选择电子迁移率（）的半导体，二是（）沟道长度。

对于n沟增强型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。对于n沟耗尽型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。