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要在P-Si上制作CMOS电路,首先需要制作N阱

A. 对
B. 错

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当MOS管的沟道宽度缩小到与沟道区耗尽层厚度相比拟时,MOS管的阈值电压会变大,这种现象称为( )

受短沟道效应的影响,MOS管的阈值电压会( )

为了改善热电子效应,当前MOS管普遍会制作LDD结构

A. 对
B. 错

根据出口报关单的填制要求,请简述报关单位的含义和类型。

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