题目内容

2.以下材料中哪种不适于制作种植材料（）

A. 玻璃陶瓷
B. 氧化铝陶瓷
C. 长石质陶瓷
D. 羟基磷灰石陶瓷

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3.中熔烤瓷材料的熔点范围是（）

A. 1200~1450℃
B. 1050~1200℃
C. 850~ 1050 ℃
D. 650~850℃

4.低熔烤瓷材料的熔点范围是（）

A. 1200~1450℃
B. 1050~1200℃
C. 850~ 1050 ℃
D. 650~850℃

5.在堆塑烤瓷材料时，应将烤瓷预成体放大（）。

A. 10%
B. 15%
C. 20%
D. 25%

6.烤瓷材料烧结过程中，哪个阶段体积变化最为明显。（）

A. 低温烧结阶段
B. 中温烧结阶段
C. 高温烧结阶段
D. 以上均无