关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的输出信号,下列说法正确的是
A. 平面型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
B. 信号脉冲上升时间与入射带电粒子产生电子-空穴对的位置有关
C. 同轴型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
D. 输出电压脉冲信号是前沿不变的
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关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的能量分辨率,下列说法错误的是
A. 不同原因造成的能量展宽需要平方求和在开方,求总体效应
B. 载流子统计涨落、漏电流和噪声均会造成探测器能量分辨率变差
C. 不同原因造成的能量展宽可以直接相加求总体效应
D. 载流子由于陷阱效应带来的涨落可以通过适当提高偏置电压减小
关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的性能,下列说法错误的是
A. 电流脉冲宽度约为μs量级
B. 反符合技术有助于提高探测器峰康比
C. 85立方厘米的高纯锗探测器的相对探测效率约为19%
D. 能量线性很好
关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的应用,下列说法错误的是
A. HPGe和Ge(Li)用于组成γ谱仪,Ge较高的密度和原子序数有利于γ射线探测
B. Si(Li)探测器可以作低能量的γ射线和X射线测量
C. Si(Li)探测器可以作β粒子或其他外部入射的电子的探测,因为它原子序数低,反散射小
D. Si(Li)探测器也适合测量高能γ射线
下列哪一项不属于决定光电倍增管输出信号的总电荷量的因素?
A. 闪烁体发出的闪烁光子数
B. 光阴极的转换效率
C. 光电倍增管总的倍增系数
D. 前置放大器的放大倍数