题目内容

根据导电沟道载流子类型的不同,MOS管可分为【】

A. N沟道型
B. P沟道型
C. 增强型
D. 耗尽型

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漂移电流是反向电流,它由少载流子形成,其大小与以下哪些因素无关【】

A. 外加电压
B. 温度
C. 多子浓度
D. 半导体掺杂材料

处于饱和状态的NPN型晶体管,应分别存在以下哪些电压的关系【】

A. UCE > UBE
B. UCE < UBE
C. UCE > 0V
D. UCE < 0V

杂质半导体的导电性能与以下哪些因素有关【】。

A. 电压
B. 温度
C. 杂质浓度
D. 半导体材料类型

触发器按触发方式可分为【】

A. 电平触发
B. 电流触发
C. 脉冲触发
D. 边沿触发