在半导体激光器中,欲实现载流子布居反转则需要满足( )
A. 半导体材料必须是重掺杂材料
B. PN结所加正向偏压足够大使电子势能大于禁带宽度
C. 自发辐射光子能量大于禁带宽度
D. 受激辐射光子能量大于禁带宽度
关于LD的选模方案,正确的说法是( )
A. 分布布拉格反射型激光器基于反射光栅选模
B. 分布布拉格反馈型激光器基于波导光栅选模
C. 复合腔型激光器基于短腔选模
D. 垂直腔面发射型激光器基于周期反射层选模
关于载流子复合发光,正确的说法是( )
A. 平衡载流子复合不会产生光辐射
B. 非平衡载流子寿命越短,复合发光机率越大
C. 掺杂可提高复合机率
D. 强注入可提高复合机率
关于半导体异质结,正确的说法是( )
A. 异质结中异质是指材料禁带宽度不同
B. 异质PN结通过降低势垒增大自由电子扩散
C. 异质PP结通过降低势垒增大自由电子扩散
D. 双异质结载流子约束在窄带P层