题目内容

试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区，且ID=0．5 mA，VDS=-1．5 V，VG=2 V。已知μpCoxW／(2l)=0．5 mA／V2，VGS(th)=-1 V，设λ=0。

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名词解释：宗法制

十三点 ,猜一个字

某项资产的账面价值小于其计税基础，或者某项负债的账面价值大于其计税基础，将产生()。

A. 应纳税暂时陛差异
B. 可抵扣暂时性差异
C. 应纳税永久性差异
D. 可抵扣永久性差异

人不在其位 ,猜一个字