题目内容

对偶然符合描述正确的是

A. 偶然符合在低计数率情况下更常见
B. 偶然符合的事件同时发生且相关
C. 偶然的情况下同时到达符合电路的非关联事件引起的符合
D. 不相关的事件都可以认为属于偶然符合

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下列对真偶符合比的描述正确的是

A. 符合测量对真偶符合比没有要求
B. 为保证高的真偶符合比,电子学分辨时间小一些好
C. 真偶符合比必定是大于1的
D. 其他条件不变,源的活度越大则真偶符合比越大

下列对γ能谱的描述,错误的是

A. 反符合技术可以用于甄别康普顿事件
B. 反散射峰与特征X射线峰来自于环境
C. 全能峰就是光电峰
D. 单逃逸峰的能量大于双逃逸峰

测量能量10keV的γ射线,观察到了在20keV处有一个明显的峰,对于这些计数的分析正确的是

A. 超出了最大能量,是系统弄错了,应该把这些计数去掉
B. 可能同时发生了两个能量完全沉积的事件,系统把这两个10keV的计数合成为了一个20keV的计数
C. 这个峰大部分计数的来源应该是环境的射线影响
D. 降低γ射线强度,这个峰的计数应该会升高

轫致辐射对γ能谱的影响,描述错误的是

A. 轫致辐射计数集中在低能区
B. 轫致辐射的来源其实是β射线
C. 轫致辐射可以被理想屏蔽所去除
D. 当β射线强度大,能量高,而γ射线强度低时,轫致辐射影响更显著

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