题目内容

半导体材料中的导带底能量Ec比价带顶能量Ev要低。

A. 对
B. 错

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禁带宽度越大，电子越容易从价带跃迁到导带。

A. 对
B. 错

N型半导体的多子是

A. 电子
B. 空穴
C. 正离子
D. 负离子

在Si中掺入以下哪种元素可以得到P型半导体？

A. C
B. O
C. B
D. P

硅中掺入以下杂质能够得到N型半导体的是？

A. P
B. As
C. B
D. Sb