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PN结内电场的形成是因为()

A. P区的多数载流子是自由电子多于N区,N区的多数载流子空穴多于P区,产生浓度差,会进行扩散并复合后留下的大量不可移动的±离子形成的。
B. P区的多数载流子空穴多于N区,N区的多数载流子自由电子多于P区,产生浓度差,会进行漂移并复合后留下的大量不可移动的±离子形成的。
C. P区的多数载流子空穴多于N区,N区的多数载流子自由电子多于P区,产生浓度差,会进行扩散并复合后留下的大量不可移动的±离子形成的。
D. P区和N区的少数载流子漂移运动形成的。

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PN结外加反向电压,在其击穿前,随着电压大小的增加,()。

A. 反向电流增大
B. 正向电流增大
C. 反向电流基本不变
D. 正向电流基本不变

关于PN结的说法错误的是()

A. PN结又叫耗尽区
B. PN形成本质上就是形成了一个内电场
C. PN形成本质上就是多数载流子的扩散运行形成的
D. PN形成本质上就是少数载流子的漂移运行形成的

PN结内电场产生后,对载流子的影响是()

A. 多少载流子的扩散运动会加剧
B. 多少载流子的扩散运动会减弱
C. 少数载流子的漂移运动会减弱
D. 稳定的PN结形成后,由于多数载流子总是多于少数载流子,所以扩散运动总是会大于少数载流子的漂移运动

PN结的特性说法正确的是

A. 给P区加低电位,N区加高电位,PN结导通,形成正向电流IF
B. 给N区加低电位,P区加高电位,PN结导通,形成正向电流IF
C. 给P区加低电位,N区加高电位,PN结导通,形成反向电流IR
D. 给P区加低电位,N区加高电位,PN结截止,形成正向电流IR

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