A. 主存采用MOS还是TTL B. 主存采用多体交叉还是单体 C. 主存容量和编址方式 D. 主存频宽的确定
A. 缓冲器裂纹 B. 钩尾框裂纹 C. 冲击座铆钉折断 D. 钩舌裂纹
A. 反击型; B. 冲击型; C. 斜击式; D. 双击式
A. 全部由平面 B. 由曲面和平面共同 C. 由回转面 D. 全部由曲面